近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长设备——SiCN。

德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示：“SiCN是我们专为中国市场打造的，一方面是为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，另一方面也是为了满足中国客户的本地化需求，帮助他们提升市场竞争力。”

中国市场电动汽车、5G、新能源等新业态的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇，作为在晶体生长领域拥有超过60年经验的高端设备厂商， PVA集团已经过多次关键性产业收购，迅速建立了稳固的技术护城河。据悉， PVA集团于1999年收购了莱宝贺利氏真空设备制造有限公司，该公司也成为了PVA晶体设备制造的主要技术来源；随后PVA集团又收购了位于丹麦的区熔炉设备制造板块，在当代，该技术在行业内部具备明显的竞争优势。2002年 PVA集团又陆续收购了等离子技术，进一步完善了公司两大板块工业系统和半导体系统设备。

注：色块为PVA可提供设备的板块

至今，PVA TePla掌握了几乎所有与工业领域应用的晶体生长技术，包括区熔法、直拉法、垂直梯度法，还有化学气相沉积法及PVT法。尤其在碳化硅材料的应用领域，德国PVA TePla的先进设备触及多个领域的应用，包括晶体生长、测试测量、石墨提纯和相关耗材辅材的材料涂层设备等。

此次，PVA TePla将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，推出的碳化硅晶体生长设备SiCN采用了PVT法（物理气相传输工艺）生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。值得注意的是，该款设备虽然是德国设计，但是有很多的零部件均来源于中国本土供应商。

谢秀红表示，该设备与德国生产执行的是统一的认证和检测标准，成功入选的供应商都经过了PVA集团严格的供应商认证过程。目前，该设备机械部件的国产化比例已经超过了80%。而在一些关键部件如测头、压力控制方面，PVA TePla还是要采用的最高标准的元部件。同时，谢秀红也表示很期待国产厂商的迅速发展与成熟，从而实现更高比例的国产替代。

目前，国内碳化硅衬底迈过萌芽期，进入到规模化生产中。当前衬底环节面临全面降本的实际需求，市场对于碳化硅衬底设备的稳定工艺要求更高，因为这直接影响着长晶的良率高低以及自动化规模产出的一致性。针对上述核心需求，PVA TePla介绍了SiCN的设备优势：

定制化：特定的晶体生长工艺通常是企业的高度机密，定制化晶体生长平台对于验证和优化其工艺至关重要。PVA TePla可为客户提供专业定制化解决方案，以满足行业独特的工艺和知识产权需求，从而实现无缝扩展以进行大规模生产。

灵活性：“SiCN”的设计可采用和更换成熟供应商的标准组件以及定制组件，保证设备可以使用最新的研发成果，实现持续的技术进步。

可靠生产：“SiCN”系统设计紧凑，自动化程度高，可最大化节约整体运营空间，同时方便维护，可实现可靠的大规模生产。客户还可整合如加料小车、多种真空泵选项和测量设备等其他部件，进一步提升系统功能。

高生产效能：晶体生长过程需要具备在超过2,000°C的高温条件下长时间运行，因此优异的能源效率可以实现更佳的成本效益。“SiCN”采用经验证的低能耗感应线圈设计，实现高效率的感应加热，有效降低能耗，优化生产成本。

目前，为了稳步扩大中国市场，PVA TePla已在中国建立生产基地、演示中心及供应链中心，旨在将高端设备国产化，以更好地助力中国半导体产业提升和发展，特别是碳化硅晶体和大尺寸单晶硅片的生产。同时，为了贴合本土市场需求，德国PVA TePla集团也在进一步完善本地团队技术服务，加强与下游合作伙伴的研发合作，并且提供更加专业化、定制化的本地支持，帮助合作伙伴更加便捷、快速的实现大规模生产能力。