3月2日，天岳先进发布公告称，公司将2021年首次发行股票并上市募集的35亿元资金的闲置资金，在不影响募集资金投资项目建设进度的前提下，使用不超过5亿元投资“碳化硅半导体材料项目”。

碳化硅半导体材料项目总投资额为25亿元，此前天岳先进上市时曾斥资20亿元投资该项目。本次募集资金将投资项目的资金使用计划及项目的建设进度，公司已对募集资金进行了专户存储，并随时根据项目进展及需求情况及时归还至募集资金专用账户。

资料显示，天岳先进成立于2010年11月，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。

天岳先进上海工厂产量持续爬坡，建设进度超预期。根据2022年募投计划，公司将于上海临港建设碳化硅衬底生产基地，扩大公司在导电型碳化硅单晶衬底的生产能力，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型碳化硅衬底。

据TrendForce集邦咨询此前预估2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

从产业链结构上看，SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达~45%。

碳化硅产业正在高速发展中，作为上游材料的碳化硅衬底显得尤为重要。碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料，和传统材料相比具有更加优异的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能，在电力电子以及微波电子领域有着广泛的应用前景。

除了天岳先进加速布局碳化硅衬底，此前重投天科和同光股份等传来新动态。

2月27日，重投天科第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用。该基地总投资32.7亿元，重点布局了6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片。

2023年12月底，第三代半导体材料碳化硅单晶衬底制造企业同光股份宣布完成F轮融资。本轮融资规模为15亿元，由深创投制造业转型升级新材料基金、京津冀协同发展产业投资基金领投，保定高新区创业投资有限公司、河北产投战新产业发展中心联合投资。本轮融资将用于进一步加速重点项目布局，加筑技术壁垒，构建企业级生态体系，培养第三代半导体行业人才。

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