尽管目前市场上碳化硅（SiC）衬底供应仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极进军8英寸。近日，又有一家知名厂商旗下8英寸SiC衬底项目迎来新进展。

1月30日，山东中晶芯源半导体科技有限公司（以下简称中晶芯源）8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。据悉，该项目于2023年6月12日落地山东济南，计划在2025年满产达产，成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。

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股东信息显示，中晶芯源由广州南砂晶圆半导体技术有限公司（以下简称南砂晶圆）全资控股，后者成立于2018年8月，从事SiC单晶材料研发、生产和销售，产品主要以6英寸半绝缘和N型SiC衬底为主。

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近年来，在8英寸SiC衬底热度持续上涨趋势下，南砂晶圆积极投身8英寸赛道。2022年9月8日，南砂晶圆联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。

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据介绍，经测试表征，上述衬底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，电阻率平均值22mΩ•cm，不均匀性小于4%，衬底(004)面高分辨XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值32.7弧秒，说明衬底具有良好的结晶质量，边缘扩径区域没有小角度晶界缺陷。

技术突破也在一定程度上助推南砂晶圆成为资本市场重点关注对象，过去两年多时间，南砂晶圆已相继完成5轮融资，包括今年1月刚刚完成的C轮融资，投资方包括华民基金、天堂硅谷、华讯方舟基金、扬子江基金、鲁信创投等机构。项目方面，南砂晶圆还在广州南沙区布局了SiC项目，总投资9亿元，该项目2023年4月已经试投产，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。

项目备案意味着南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目正式启动，随着项目建成达产，将有利于南砂晶圆未来在SiC衬底全面转型8英寸后抢占先机。

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