乐鱼体育app官方网站-HBM4,掀起波澜

发布者:乐鱼体育app官方网站 发布时间:2024-07-22

AI大势下,存储原厂针对HBM的竞争日渐白热化,HBM3E风头正劲,今年有望成为HBM市场主流。与此同时,原厂也在积极布局下一代HBM4技术。

今年4月SK海力士已经宣布将携手台积电共同开发HBM4,预计2026年投产。据悉,两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(Base Die)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(Core Die)堆叠在基础裸片上,并通过TSV技术进行垂直连接而成。

三星方面,媒体报道该公司已经成立了新的“HBM开发团队”,将专注HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作,以提高三星在HBM市场的竞争力。近期,韩媒报道,三星计划使用4nm先进制程工艺生产HBM4 逻辑裸晶(Logic Die)。

此前业界猜测三星会用7~8nm制程生产HBM4逻辑裸晶,最新报道显示三星“激进”选择了更先进的制程,这也侧面反映出当前HBM火热发展的态势。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询今年5月调查显示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。

产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。

针对HBM4的发展,此前集邦咨询则预估,HBM4预计2026年推出,或将转向客制化。各买方开始启动客制化要求,除了HBM可能不再仅是排列在SoC主芯片旁边,亦有部分讨论转向堆栈在SoC主芯片之上。虽然所有选项仍在讨论可行性中,并尚未定案,但TrendForce集邦咨询认为,未来HBM产业将转为更客制化的角度发展,相比其他DRAM产品,在定价及设计上,更加摆脱Commodity DRAM的框架,呈现特定化的生产。

封面图片来源:拍信网