6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

该项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

公开资料指出，安徽长飞先进半导体有限公司，原名为芜湖启迪半导体有限公司，是一家第三代半导体研发生产服务商，专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。值得一提是，该公司于去年完成超38亿元A轮融资。

据了解，2023年5月，长飞先进半导体提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，进军碳化硅领域。研发方面，同年7月，长飞先进半导体SiC战略项目（KO）A样品达到预期设计目标，这标志着该公司拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力；12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着长飞先进已具备SiC产品自主研发及量产能力。

碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表产品，凭借高禁带宽度、高饱和电子迁移速度、高工作温度及高热导率等特点，正逐步成为汽车、充电设备、便携式电源等多个领域的优选方案。尤其是新能源汽车领域，碳化硅已成为800V电压平台下功率器件的首要选择，正逐步替代传统硅基 IGBT。

TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。

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