EUV光刻机是先进半导体生产的关键，荷兰半导体设备厂商阿斯麦(ASML)正在有序执行蓝图，首阶段是标准EUV后迎接High-NA EUV，去年底ASML已交货英特尔首套High-NA EUV。上周ASML又证实，年底也将向台积电交货High-NA EUV。不过，半导体业刚准备迈入High-NA EUV时代，ASML又开始研究下代机台Hyper-NA EUV，寻找合适解决方案。

据EETimes报导，ASML已公布下代机台Hyper-NA EUV蓝图，目前为开发早期阶段。ASML前技术长Martin van den Brink 5月在IMEC ITF World演讲表示，长远来说，Hyper-NA EUV需改进光源系统，须采Hyper-NA基础，同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400~500片晶圆。

ASML计划2030年推出Hyper-NA EUV，数值孔径达0.75。较High-NA EUV的0.55数值孔以及标准EUV的0.33数值孔径，精确度提高，可有更高分辨率图案化及更小晶体管特征。对ASML而言，Hyper-NA技术还能推动整体EUV平台，改善成本和交货时间。

不过，Hyper-NA EUV也遇到新挑战，如光阻剂要更薄。正如IMEC图案化项目总监Kurt Ronse所言，High-NA EUV应可包括2~1.4纳米节点，再到1~0.7纳米节点，之后由Hyper-NA EUV接续。

2022年接受媒体采访时，Martin van den Brink表示，ASML研究Hyper-NA EUV主要目标是提出智慧解决方案，成本和可制造性方面都保持可控。Martin van den Brink担心成本和可制造性代价可能高得惊人，如果制造成本成长速度与High-NA EUV一样，商业化从经济面看几乎不可行。

不过Martin van den Brink 2023年再谈到Hyper-NA EUV时，似乎更有信心，认为Hyper-NA EUV是机会，成为2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV双重曝光的成本更低，也为半导体产业带来新机会。

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