据市场消息，目前，ASML High NA EUV光刻机仅有两台，如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求，为此ASML布局步伐又迈一步。

当地时间6月3日，全球最大的半导体设备制造商阿斯麦（ASML）宣布，携手比利时微电子研究中心（IMEC），在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），并由双方共同运营。

据业界信息，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展。NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。

ASML的High NA EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元。据悉，ASML最先进的高数值孔径EUV设备的数值孔径将从0.33提高到0.55，这意味着设备可以绘制更精细的电路图案。

ASML官网消息指出，经过多年的构建和整合，该实验室已准备好为领先的逻辑和存储芯片制造商、以及先进材料和设备供应商，提供第一台原型高数值孔径EUV扫描仪（TWINSCAN EXE：5000）以及周围的处理和计量工具。

据介绍，0.55NA EUV扫描仪和基础设施的准备工作始于2018年，在此之前，ASML和ZEISS（蔡司）已经能够开发High NA EUV扫描仪专用解决方案，涉及光源、光学元件、镜头变形、拼接、降低景深、边缘位置误差和叠加精度。与此同时，IMEC与其扩展的供应商网络紧密合作，准备了图案化生态系统，包括开发先进的光刻胶和底层材料、光掩模、计量和检测技术、（变形）成像策略、光学邻近校正 (OPC) 以及集成图案化和蚀刻技术。准备工作最近取得了首次曝光，首次展示了使用0.55NA EUV原型扫描仪在Veldhoven的金属氧化物光刻胶 (MOR) 上印刷的10纳米密集线条（20纳米间距）。

此次联合实验室的开放，被视为High-NA EUV技术大批量生产准备过程中的重要里程碑。业界预计，随着该技术的不断成熟和普及，将在2025-2026年期间迎来大规模的量产应用。

IMEC总裁兼首席执行官Luc Van den hove表示，High-NA EUV是光学光刻领域的下一个里程碑，有望在一次曝光中对间距为20纳米的金属线/空间进行图案化，并支持下一代DRAM芯片。与现有的多图案化0.33 NA EUV方案相比，这将提高产量并缩短周期时间，甚至减少二氧化碳排放量。因此，它将成为推动摩尔定律进入埃时代的关键推动因素。

在芯片制造中，先进制程技术是当前行业研发的重点，掌握研发最新制程技术的大厂主要是台积电、三星、英特尔，从三大厂的动态来看，先进制程研发之争已开启。而光刻设备是芯片制造过程中的核心步骤，目前ASML是全球唯一掌握High-NA EUV技术的设备厂商，随着先进制程芯片竞争日益升温，各大厂瞄准EUV先进设备开始抢购。

从订单情况来看，ASML财报显示，今年第一季度公司新增订单金额为36亿欧元，其中6.56亿欧元为EUV光刻机订单。

这一局，英特尔率先抢下了ASML大部分的High NA EUV光刻机。据此前外媒消息，ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽。并在前不久英特尔宣布完成了ASML High-NA EUV光刻机设备组装。这是ASML生产的首台High NA EUV光刻机，价值高达3.5亿欧元，英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下的先进制程芯片。据了解，ASML还对外交付了第二台High NA EUV光刻机，但未透露买家信息。

值得一提的是，ASML的订单已超过了十几台，但EUV设备的最大客户台积电却表示“不抢ASML新设备”。台积电业务开发资深副总经理张晓强此前表示，台积电A16制程不一定要用阿斯麦（ASML）High-NA EUV。现有EUV能力支持芯片生产到2026年底，届时A16制程将根据目前蓝图推出。

三星电子方面，该公司联合ASML共同投资1万亿韩元在韩国建立新研发中心。该中心位于京畿道华城市ASML新园区前，将配备能够实施亚2nm工艺的先进高数值孔径EUV光刻设备，并将成为ASML和三星电子工程师使用EUV设备进行先进半导体研发合作的场所。据此前动态，三星电子已在ASML韩国华城新园区附近新获得了一块场地，将于明年开始建设，计划在竣工时引进[高数值孔径]设备，预计最晚会在2027年完成。

三星电子还与ASML EUV光刻机组件供应商蔡司联手，在EUV领域深化合作。公开资料显示，蔡司集团是全球唯一的极紫外（EUV）光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。据透露，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。

三星电子此前指出，其目标是引领3nm以下的微制造工艺技术，今年计划采用EUV光刻技术量产第六代10纳米DRAM芯片。未来，三星电子积极寻求到2025年实现2nm芯片商业化，到2027年实现1.4nm芯片商业化。

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