近日，多个第三代半导体项目动态再刷新，芯联集成8英寸碳化硅工程批顺利下线；南砂晶圆与中机新材展开合作；士兰微总投资超百亿，拟合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目...

芯联集成8英寸碳化硅工程批已顺利下线

5月27日，据芯联集成官微消息，其8英寸SiC工程批已于4月20日顺利下线，这表明其8英寸SiC离量产越来越近。公开资料显示，工程批是指芯片设计企业为了测试和验证新产品，向晶圆代工厂提出小批量订单，测试验证新的设计和工艺，并进行后续的优化和调整。

自2021年以来，芯联集成持续投入SiC MOSFET芯片、模组封装技术的研发和产能建设。其用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块已于2023年实现量产。截至2023年12月，芯联集成6英寸SiC MOSFET产线已实现月产出5000片以上。

在今年3月，芯联集成在投资者调研活动中介绍，其8英寸SiC晶圆和芯片研发进展顺利，计划年内送样。其工程批在上个月已下线，目前正在验证过程中，至年底还有半年时间，芯联集成有望按照此前披露的时间节点实现年内送样目标，并在2025年进入规模量产。并且，芯联集成近日透露，其8英寸SiC产线建设进展顺利，今年二季度将完成通线。产线建设也将为芯联集成8英寸SiC量产提供助力，伴随着8英寸SiC量产，芯联集成将成为8英寸SiC赛道又一个重量级玩家。

成功切入8英寸领域，将助推芯联集成SiC相关业务增长，尤其是在车用场景。今年以来，芯联集成与车企频频互动，彰显了其SiC产品布局持续向车规级应用倾斜。今年1月30日，芯联集成官宣与蔚来签署了SiC模块产品的生产供货协议。按照双方签署的协议，芯联集成将成为蔚来首款自研1200V SiC模块的生产供应商。3月1日，芯联集成又宣布与理想汽车正式签署战略合作框架协议。

通过与蔚来、理想等车企合作，芯联集成能够与车厂围绕终端需求共同推动产品化进程，进而共同提升市场竞争力。而伴随着6英寸向8英寸转型升级，其材料和器件成本有望进一步下探，有望加速芯联集成与车企的合作进程并在产品终端应用方面进一步渗透。

南砂晶圆与SiC晶圆研磨抛光材料企业中机新材展开合作

5月23日，中机新材官微表示，其在5月15日与南砂晶圆签订了战略合作框架协议。

中机新材官方消息显示，其专注于针对硬脆材料及先进制造所需的高性能研磨抛光材料领域，在第三代半导体SiC晶圆研磨抛光应用领域已取得多项关键性技术突破，并持续满足客户的高质量和稳定性的供应服务。

据悉，中机新材首创的团聚金刚石技术，替代了多晶和类多晶，有效解决了生产过程中的环保和成本痛点。耗液量方面，团聚金刚石方案用量仅为3μm单晶金刚石方案的20%。目前，中机新材团聚金刚石研磨材料已于2021年投入量产，在此基础上，中机新材已成功进入比亚迪、天岳先进、同光股份、天域半导体、合盛硅业、晶盛机电等SiC产业链头部企业。此次与南砂晶圆合作，中机新材客户版图再下一城。

官方资料显示，南砂晶圆于2018年9月注册成立，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的企业。其官网显示，公司总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线，公司产品以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主。

作为国内SiC衬底头部厂商，南砂晶圆对SiC晶圆研磨抛光材料需求量大。特别是近几年，南砂晶圆开启了规模庞大的扩产计划。其中，南砂晶圆在广州南沙区布局的总投资9亿元的SiC项目。据悉，该项目2023年4月已经试投产，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。此外，南砂晶圆还在积极扩建厂区，其计划将位于山东济南的8英寸SiC单晶和衬底项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，投资额达15亿元，这是南砂晶圆另一大规模扩产项目。基于此，南砂晶圆未来在SiC晶圆方面需要的耗材需求更大。

总投资超百亿，士兰微拟合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目

5月21日，士兰微发布公告称，公司拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。

本次增资完成后，士兰集宏的注册资本将由0.60 亿元增加至42.10亿元。士兰微对于士兰集宏的持股比例将由原本的100%降至25.1781%。厦门新翼科技实业有限公司将成为士兰集宏的控股股东，持股51.0689%，厦门半导体投资集团有限公司持股23.7530%。

公告显示，结合各方在技术、市场、团队、运营、资金、区位和区位政策以及营销等方面的优势，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”，以项目公司负责作为项目主体建设一条以 SiC-MOSEFET 为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。

据悉，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%；银行贷款27.9亿元，占约40%。第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施（第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款）。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。

合作各方拟将项目公司建成一家符合国家集成电路产业发展规划、开展以第三代半导体功率器件研发、制造和销售为主要业务的半导体公司，并具有国际化经营能力，以取得良好的经济、社会效益；支撑带动终端、系统、IC设计、装备、材料产业链上下游企业在厦门集聚，为中国集成电路产业发展助力。

值得一提的是，在此前举行的士兰微2023年度暨2024年第一季度业绩暨现金分红说明会上，公司总经理郑少波表示，目前公司碳化硅订单处于客户追交付状态，预计碳化硅主驱模块装车5月单月将超过8000辆、6月 单月将超过2万辆；4月份公司6英寸、8英寸基本满产，5英寸、12英寸产能利用率80%左右。

尊阳电子第三代功率半导体集成电路封装项目成功奠基，总投资近13亿

5月27日，江苏尊阳电子科技有限公司举行了“第三代功率半导体集成电路封装项目”的奠基仪式。

据介绍，尊阳电子二期项目“第三代功率半导体集成电路封装项目”投资2.65亿，搭建生产车间和基础设施；平台化企业投资9.98亿，建设生产设备。项目预计在2027年12月全部达产，达产后实现年销售收入约11亿元，年税收约7000万元。

公开资料显示，尊阳电子成立于2021年5月，主要为芯片设计公司提供高水平的封测平台支持的企业。尊阳电子表示，该项目将采用先进的封装技术，提高产品的性能和可靠性，满足市场对高性能半导体产品的需求。

安建半导体功率半导体模块封装项目签约落户浙江

5月20日，据浙江海宁经开区消息，浙江海宁经济开发区、海昌街道项目集中签约仪式在海宁(中国)泛半导体产业园服务中心举行，其中包括安建半导体功率半导体模块封装项目。消息披露，安建半导体功率半导体模块封装项目总投资1亿元，或打造汽车级IGBT及SiC模块封装产线。

今年4月，安建半导体完成了超过2亿元的C1轮融资，本轮募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台、扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线、扩充销售及其他人才团队、增加营运现金流储备等。

官微资料显示，安建半导体成立于2021年7月，至今已实现IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，得到了国内多家应用客户的认可。目前，安建半导体已推出具有完全自主产权的1200V-17mΩSiC MOSFET，正在同步建设SiC模块封装产线和开发新一代GaN技术和产品。

芯长征封测产线正式通线，涉及第三代半导体芯片及模组系列

近日，芯长征科技官微宣布，其新能源电子封测产线于5月9日在中国荣成顺利通线并隆重举行通线仪式。

据介绍，该项目主要建设新能源汽车/光伏功率模组以及第三代半导体材料碳化硅的模组生产测试线，建成后，项目可年产新能源汽车及光伏功率模组约60万只、年产功率器件检测设备约500台，实现产值3亿元。

企查查显示，芯长征成立于2017年，是一家集新型功率半导体器件设计研发与封装制造为一体的企业，各类MOS、IGBT和SiC系列产品均已获得客户认可，实现批量出货。今年2月，中金公司发布了《关于江苏芯长征微电子集团股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告》，计划年中进行辅导考试。

总投资55亿，晶隆半导体外延材料产业园EPC项目封顶

据中电二公司公众号消息，5月25日，滁州半导体外延材料产业园EPC项目封顶仪式顺利举行。

据了解，滁州半导体外延材料产业园项目为滁州市南谯区重点项目，由安徽晶隆半导体科技有限公司投资建设，项目总投资55亿，2023年10月开工，占地面积250亩，建筑面积18万平。

此前，据滁州市南谯区人民政府消息，该项目设计年产6-8英寸硅外延片540万片、4英寸以下碳化硅外延片90万片，将加快推动滁州半导体产业发展，助力安徽打造半导体产业发展新增长极。

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（生活服务设施区）全面封顶

据湖南六建华西公司公众号披露，近日，安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（生活服务设施区）已于5月18日全面封顶。

据悉，该项目由湖南三安（持股51%）和意法半导体（持股49%）合资建设，总投资约为230亿元，全厂建成后，可年产车规SiC MOSFET芯片52万片。作为重庆市政府招商引资的重点项目，安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目同时也是我国芯片行业第一个8英寸衬底项目。

另外，湖南项目方面，三安湖南碳化硅半导体产业化项目二期正在稳步推进中，将全部导入国际领先的8英寸生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。

年产120万片6英寸功率半导体特色工艺晶圆产线9月底试生产

据涪陵发布公众号消息，5月24日，在重庆涪陵高新区（综保区）电子信息标准化厂房A栋，重庆新陵微电子有限公司的厂房正在加紧装修中。预计9月底，这里将建成国内领先的特色工艺晶圆产线，满足国内对高端功率半导体芯片的迫切需求。

据悉，重庆新陵微电子有限公司是由宁波达新半导体有限公司与涪陵区新城区开发（集团）有限公司共同投资于2022年7月成立的一家从事功率半导体芯片制造的高科技企业，注册资本2亿元。该公司投资约20亿元，建设一条年产120万片6英寸功率半导体特色工艺晶圆产线，主要产品包括IGBT、MOSFET等功率半导体芯片，产品应用将覆盖新能源汽车、智能电网、光伏储能、风力发电、工业应用、白色家电等领域。

该公司厂务经理曾鹏程介绍，现在我们生产基地一期厂房已经完成无尘室车间、动力车间、特气车间等地面隔墙、通风管路铺设，正在进行管路安装，完成了总工程量的50%。二期配套设施厂房正在进行招标前期工作。近期将进行一期厂房设备安装施工，力争9月底实现试生产。

封面图片来源：拍信网