近日,武汉集成电路产业版图再次拓展,多个产业项目签约落地,包括广钢气体电子气体华中区域总部项目、卓瓷科技武汉研发生产基地项目、武汉市集成电路技术与产业促进中心(ICC)、三维相变存储器研发及产业化项目、聚芯微集成电路设计项目、微崇半导体集成电路量测设备项目等,涉及EDA、存储、零部件、材料、设备、制造、封测等多个细分领域领域。其中,三维相变存储器研发及产业化项目备受业界关注。01新型存储器项目落户
了解详情 2025-05-14
据央视新闻报道,由中国移动承建的全国首个“四算合一”算力网络调度平台于日前正式投入使用。“四算合一”是指将通用算力、智能算力、超级算力和量子算力四种计算能力融合的算力体系。据介绍,该算力调度平台可以支持每天上亿次的算力调用,能调度全国1/6的算力规模,算网一体化效率提升20%。平台自有智算中心的芯片国产化率超过90%,兼容8种国产AI芯片,对保障供应
了解详情 2025-05-14
4月10日,意法半导体(STMicroelectronics)宣布了一项全面战略计划,旨在通过重塑制造布局和优化全球成本基础,提升其在半导体行业的竞争力。该计划涉及先进制造技术的投资以及全球生产基地的整合,目标是在快速变化的碳化硅市场中占据有利地位。source:意法半导体意法半导体计划在2025至2027财年进行大规模投资,重点聚焦于300毫米硅和200毫米碳化硅的先进制造基础设施及技术研发。未
了解详情 2025-05-13
近期我国多家企业在碳化硅设备领域取得了显著进展,推动了我国在第三代半导体材料装备制造方面的自主创新能力。其中,晶驰机电成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备,实现了同一炉台8英寸和12英寸碳化硅单晶的稳定量产;山西天成的12英寸碳化硅长晶炉也已进入炉体组装和工艺调试阶段,计划于2025年第三季度投放市场;江苏天晶智能正式发布12英寸碳化硅超硬材料超高速多线切割机。晶驰机电成功开发出电阻法12寸
了解详情 2025-05-13
从硅(Si)到砷化镓(GaAs),再到碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今,氧化镓(Ga₂O₃)作为第四代超宽禁带半导体材料的代表,正以其颠覆性的物理特性与成本优势,掀起一场新的半导体革命。氧化镓熔点高达1900℃,不溶于水,微溶于热酸或碱溶液。其β相稳定性最佳,具有4.9eV的禁带宽度(远超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV),以及
了解详情 2025-05-13