专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术,取代目前用于AI GPU加速器的HBM。据悉,这款3D DRAM内建AI处理功能,使处理和生成不需要数学运算输出,当大量数据在存储器与处理器间传输时,可减少数据汇流排(DataBus)问题,提升AI效能与效率。3D X-AI芯片的底层有个神经元电路层,可处理同一芯片上300个存储器层所储存
了解详情 2025-01-13
TrendForce集邦咨询: 2024年第二季DRAM产业营收季增24.8%,预期第三季合约价将上调根据TrendForce集邦咨询调查,受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长,2024年第二季整体DRAM(内存)产业营收达229亿美元,季增24.8%。价格方面,合约价于第二季维持上涨,第三季因国际形势等因素,预估Conventional DRAM(一般型内存)合约价涨幅将高于先前预期。观察
了解详情 2025-01-12
近日,清溢光电发布公告称,公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元(含本数),募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。其中,据公告介绍称,高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期的实施主体为子公司佛山清溢微,主要产品为覆盖 250nm-65nm 制程的高端半导体掩膜版。本项目计划总投资约6.05亿元人民币,拟投入募集资金6亿
了解详情 2025-01-12
8月13日下午,中国台湾地区新北市大雷雨造成停电,存储器大厂南亚科工厂传出停电约20分钟,但启动不断电系统(UPS)后,黄光与蚀刻区受损不大,没有UPS的站点影响程度确认中。对于停电事件,南亚科14日晚间发布说明称,停电造成部分机台停运,正全力复机,损失约新台币3亿至5亿元。根据南亚科14日发布的公告,新北市8月13日下午因雷击造成台湾电力公司161kV高压供电异常,使南亚科工厂停电。停电事件发生
了解详情 2025-01-12
8月13日,新洁能发布公告称,拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响,项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响,无法在计划时间内完成。据悉,此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目,项目总投资约2.23亿元,2022年开建,
了解详情 2025-01-12