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乐鱼体育app官方网站-三星电子计划今年生产SiC功率半导体样品

近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品,完善碳化硅功率器件产品矩阵。业界认为,三星在碳化硅领域的动作是其完善半导体产业布局、补齐功率器件短板的关键举措。2023年三星电

 

了解详情    2026-06-05

乐鱼体育app官方网站-慧荣科技参展GTC2026,多层级存储方案赋能NVIDIA AI生态系统

慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领先的企业之一,今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的差异化企业级SSD主控芯片和PCIe NVMe BGA启动SSD产品组合,专为满足NVIDIA AI生态系统不断演进的需求而打造。随着AI模型规模的不断扩大,推理架构正在从HBM和系统DRAM扩展到高性能NAND存储层,正如

 

了解详情    2026-06-05

乐鱼体育app官方网站-搭载汇顶、高通“芯”方案,OPPO Find N6折叠手机发布

3月17日,OPPO全新大折叠旗舰Find N6和Watch X3智能手表惊艳亮相。OPPO Find N6首次通过德国莱茵60万次折叠久用平整测试,配备哈苏2亿超清四摄,支持OPPO AI手写笔。OPPO Find N6核心配置上全面进阶,搭载高通骁龙8 Elite Gen5处理器,机身正面配备8.12英寸2K LTPO UTG内屏与6.62英寸外屏,整机重量约225克,提供金橙、原钛、深黑三款

 

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乐鱼体育app官方网站-三星或采用2nm工艺开发HBM5

据韩国媒体 BusinessKorea 报道,全球半导体巨头三星电子(Samsung Electronics)近日正式确认,已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产品中,三星计划打破行业传统,在其底层芯片(Base Die)上首次应用 2 纳米(nm) 先进制程工艺。在近日于美国加州举行的行业技术通报会上,三星电子内存业务高管透露了公司在 AI 存储领域的最新路线图:HBM5(第八

 

了解详情    2026-06-05

乐鱼体育app官方网站-SK集团董事长:存储芯片短缺或持续至2030年

3月17日,韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示,由于芯片生产存在系统性瓶颈,他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030 年。与此同时,他预计DRAM、NAND和 HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨,涨势可能会持续较长时间。上个月,崔泰源在参加于美国华盛顿特区举行的“跨太平洋对话”(TPD)会议时就曾指出,当前人工智能存储芯片的短缺

 

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