据日本媒体报道,存储器大厂铠侠近日宣布,将从其第10代NAND产品开始,在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术,以进一步提升生产效率,并追赶全球领先的竞争对手。报道称,铠侠计划于2026年量产第10代NAND,并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻,从而使存储器的存储单元间的存储通孔(memory hole)以更快的速度形成。而这种效率的提升不仅可以减少生产时间,还能大幅提高单位时间
了解详情 2024-09-11
6.19,TSS2024随着消费电子市场逐渐复苏,加上ChatGPT、Sora等大模型“火爆出圈”,此前步入下行周期的半导体行业逐渐释放利好信号:存储器市场自去年第四季度市况反弹,价格止跌回升,涨势在今年一季度得到延续,多家存储大厂业绩报喜,HBM与DDR5等高附加值产品备受关注。AI、数据中心驱动之下,高性能AI芯片需求持续高涨,晶圆代工厂商加足马力扩产,与此同时先进制程
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据锡东新城消息,6月5日,昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。此次签约的项目总投资超10亿元,主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线,可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产,实现满产产能约129万只/年,产值超15亿元/年。资料显示,昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产,其产品广泛应用于光伏储能
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近日,英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。他表示,英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片,但目前尚未通过测试,因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题,黄仁勋表示,认证三星HBM需要更多工作和充足耐心,而并非部分媒体所报道的因芯片过热问题未通过质量测试。他重申,英伟达与三星的合作进展顺
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受国际形势与不可控因素等影响,全球半导体供应链正在发生转移,具备劳动力和发展条件优势的东南亚地区成为全球大厂的首选之地。其中,马来西亚、印度、新加坡等地已被多数厂商瞄准,并迅速展开布局,占领一席地。昨日最新消息:世界先进将联合恩智浦半导体,在新加坡建设其首座12英寸半导体晶圆制造厂。01世界先进x恩智浦,攻向12英寸晶圆厂6月5日,晶圆代工厂世界先进和恩智浦半导体宣布,计划在新加坡共同成立一家制造
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